01
发明名称：LED epitaxial structure and manufacturing method therefor, light emitting device and display panel
授权公告号：US12183851B
专利权人：重庆康佳光电科技有限公司
授权类型：美国发明
授权日：2024-12-31
专利摘要：The present disclosure relates to an LED epitaxial structure and a manufacturing method therefor, a light emitting device and a display panel. The LED epitaxial structure includes: a substrate, an N-type confinement layer, an active layer and a P-type confinement layer, which are disposed in sequence from bottom to top, wherein the active layer includes quantum well layers and quantum barrier layers, which are alternately disposed, a part of the quantum barrier layers are first quantum barrier layers, at least one of the quantum barrier layers is a second quantum barrier layer, the second quantum barrier layer is located between two first quantum barrier layers, and a thickness of the second quantum barrier layers is greater than a thickness of the first quantum barrier layers.
解决的技术问题：由于诸如GAAS底物的光吸收和总反射的临界角损失等因素,LED的发光效率较低,这会影响光的提取和转化效率。
技术创新点：通过在活性层中使用不同厚度的量子屏障层，特别是第二量子屏障层的厚度大于第一量子屏障层的厚度，从而提高了LED外延结构的发光效率和性能。
技术效果：提高LED的光输出效率。
该专利可应用到的产品：Micro LED外延、Micro-LED芯片以及应用该Micro-LED芯片的显示类产品。
02
发明名称：一种像素电路、显示基板和显示装置
授权公告号：CN111145684B
专利权人：重庆康佳光电科技有限公司
授权类型：中国发明
授权日：2025-01-17
专利摘要：
本申请公开了一种像素电路、显示基板和显示装置，该像素电路包括驱动模块、检测模块、修复模块、原像素发光二极管和备用像素发光二极管；驱动模块连接原像素发光二极管和修复模块；原像素发光二极管连接检测模块和修复模块；修复模块连接备用像素发光二极管和所述检测模块；驱动模块连接有一栅极信号线和一数据信号线；其中，检测模块用于根据原像素发光二极管的输出信号，向修复模块输出控制信号；修复模块根据控制信号向备用像素发光二极管供电。本发明通过检测模块自动检测原像素发光二极管是否损坏，并使用备用的像素发光二极管替代原像素发光二极管，以达到修复像素的目的，从而保证了显示装置的显示效果。
解决的技术问题：因LED芯片转印失败或损坏导致的显示暗点问题，影响MicroLED、MiniLED显示装置的显示效果。
技术创新点：通过自动检测和替代机制，确保显示装置的显示效果，避免因LED芯片故障导致的暗点问题，提高了显示质量。
技术效果：实现解决了LED芯片故障导致的暗点的问题，提升了micro LED 显示设备的显示质量。
该专利可应用到的产品：Micro LED显示类产品。
03
发明名称：巨量转移方法、临时基板、转移基板和LED显示器件
授权公告号：CN115706131B
专利权人：重庆康佳光电科技有限公司
授权类型：中国发明
授权日：2025-02-18
专利摘要：
本发明公开一种巨量转移方法、临时基板、转移基板和LED显示器件，巨量转移方法包括在临时基板上设置多个第一凹槽，任意相邻的两个第一凹槽之间形成第一凸台，在第一凸台上设置第一粘接胶层；将生长基板上的LED芯片转移至临时基板上，使得LED芯片与第一粘接胶层粘接；利用转移基板上的第二粘接胶层粘接在LED芯片背离临时基板的一侧，对第一粘接胶层进行加热使其融化后流入第一凹槽内，以将LED芯片转移至转移基板上；将转移基板上的LED芯片转移至显示背板上。第一粘接胶层融化流入第一凹槽内，防止残留在LED芯片的电极表面上，防止气化的胶材导致LED芯片偏移或翻转，确保LED芯片和焊盘组精确对位，提高转移效率。
解决的技术问题：现有的LED芯片在转移过程中容易残留胶材，并且胶材气化后可能导致LED芯片偏移或翻转，影响转移质量。
技术创新点：通过在临时基板上设置有第一凹槽，使得临时基板上的LED芯片转移至转移基板时，第一粘接胶层融化后可以部分或者全部流入第一凹槽内，由此，防止第一粘接胶层残留在LED芯片的电极表面上，还可以防止第一粘接胶层气化后导致LED芯片偏移或翻转，确保LED芯片的电极表面和焊盘组精确对位，从而提高转移效率。同时，由于在转移基板上设置有第二凹槽，那么转移基板上的LED芯片转移至显示背板时，第二粘接胶层融化后可以部分或者全部流入第二凹槽内，由此，防止第二粘接胶层残留在LED芯片的出光面上，以提高LED芯片的出光率和发光均匀性，还可以防止第二粘接胶层气化后导致LED芯片偏移或翻转，确保LED芯片的电极表面和焊盘组精确对位，从而提高转移效率。
技术效果：提高了micro LED转移效率。
该专利可应用到的产品：Micro-LED显示类产品。
04
发明名称：球形垂直微型LED及其制造方法、显示面板及其转移方法
授权公告号：CN111540815B
专利权人：重庆康佳光电科技有限公司
授权类型：中国发明
授权日：2025-02-14
专利摘要：
本发明提供了一种球形垂直微型LED及其制造方法、显示面板及其转移方法，球形垂直微型LED包括第一半导体层、第二半导体层、发光层、第一电极、绝缘层和第二电极；发光层设置于第一半导体层和第二半导体层之间；第一电极覆盖于第一半导体层的至少部分表面，第二电极覆盖于第二半导体层的至少部分表面，绝缘层覆盖于发光层外或者覆盖于发光层外及第一半导体层、第二半导体层的部分表面。第一半导体层、第二半导体层和发光层形成球体结构，第一电极、绝缘层和第二电极则形成覆盖于外层的球面结构，进而形成球形垂直微型LED，避免转移过程中微型LED卡在装载阱外，便于在转移的过程中与装载阱精准对位，能够有效提高转移良率和生产效率。
解决的技术问题：现有Micro LED的长方体或圆柱体结构在转移过程中难以与基板上的装载阱精准对位，导致转移良率和生产效率低。
技术创新点：通过设计了一种球形垂直微型LED，其结构设计使得在转移的过程中能够与装载阱精准对位，从而有效提高转移良率和生产效率。同时，第二电极采用磁性导电材料，通过磁力作用将球形垂直微型LED吸附到装载阱内，进一步提高了转移的准确性和效率。此外，球形垂直微型LED的制作方法和转移方法也进一步提高了生产效率和转移良率。
技术效果：提高了Micro LED的生产效率和转移良率。
该专利可应用到的产品：Micro LED芯片以及应用该Micro-LED芯片的显示类产品。