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全彩化方案谁更强?对比三色芯片法与荧光色转换层法 | LED NEXT#02
2025-04-291

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Micro LED全彩化方案:

三色芯片法与荧光色转换层法


本期内容来源:光电工程2024 年, 第 51 卷, 第 7期

严梓峻, 刘众, 杨晓, 赖寿强, 颜丰裕, 林宗民, 林岳, 吕毅军, 郭浩中, 陈忠, 吴挺竹. 钙钛矿量子点色转换Micro-LEDs:稳定性与图案化研究进展[J]. 光电工程, 2024, 51(7)


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含义及作用

LED NEXT #02

三色芯片法与荧光色转换层法

三色芯片法:

红绿蓝 (RGB)三色芯片法是实现全彩MicroLEDs的其中一种方案。该方案需要借助巨量转移技术将数百万颗Micro-LED芯片集成在同一块驱动基板上。据统计,为了实现4K的超高分辨率全彩显示,需要高效转移Micro-LED芯片数量高达近2500万颗,转移精度为±1 μm,良率需高达99.9999%;此外,转移效率需要达到200万片/小时以上才能实现量产。


荧光色转换层法:

荧光色转换层 (Fluorescent color conversion layer,FCCL)法是利用短波长的蓝/紫Micro-LED阵列激发荧光材料以实现全彩Micro-LEDs。在荧光材料的选择上,近年来,钙钛矿量子点 (perovskite quantum dot,PQD)凭借高光致发光量子产率、高色纯度和短荧光寿命等优点,广受科研人员和产业人士的关注。


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对比及难点

LED NEXT #02

三色芯片法与荧光色转换层法

由于三色芯片法需要将数百万颗Micro-LED芯片集成在同一块驱动基板上,随着Micro-LED芯片尺寸的缩小,转移芯片的难度急剧增加,制造成本高昂始终是亟待解决的问题其次Micro-LED芯片材料的选择是另一大问题。在同一种衬底上生长RGB三种颜色的Micro-LED是极其困难的。一般来说,Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体是制备蓝绿光Micro-LED芯片的主要材料,而制备红光Micro-LED芯片的材料主要选择AlGaInP。然而,AlGaInP具有很高的表面复合速率,使得制备的红光Micro-LED器件光电性能远不及蓝绿光Micro-LED器件,而在绿光Micro-LED中,“绿隙”的存在给寻找合适的绿光材料带来了巨大挑战。这无疑增加了制备工艺的难度。


荧光色转换层法可以有效规避巨量转移所带来的技术难点,降低制备工艺难度,被认为是实现全彩Micro-LEDs经济、高效的解决方案。所使用的材料——钙钛矿量子点(PQD),不同于传统的Ⅱ-Ⅵ族量子点,PQD可以通过改变卤族元素的配比以实现全光谱调节,且色纯度远高于传统QD以及纳米级的颗粒尺寸非常适合于高分辨全彩Micro-LEDs的制备。然而,尽管PQD具有优异的光电特性,其稳定性也是一大难点

*钙钛矿量子点Micro-LEDs全彩化技术及其稳定性方案

(a)配体置换; (b)离子掺杂; (c)表面包覆; (d)化学交联


*更多技术进展见文后全文链接

全文链接:

严梓峻, 刘众, 杨晓, 赖寿强, 颜丰裕, 林宗民, 林岳, 吕毅军, 郭浩中, 陈忠, 吴挺竹. 钙钛矿量子点色转换Micro-LEDs:稳定性与图案化研究进展[J]. 光电工程, 2024, 51(7)
https://www.opticsjournal.net/Articles/OJe67475eab936d6fc/FullText


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